Crystallographic aspects of pore formation in gallium arsenide and silicon

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Revista:
Philosophical Magazine A: Physics of Condensed Matter, Structure, Defects and Mechanical Properties

ISSN: 0141-8610

Año de publicación: 1997

Volumen: 75

Número: 2

Páginas: 525-539

Tipo: Artículo

DOI: 10.1080/01418619708205156 GOOGLE SCHOLAR

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