Avalanche breakdown energy in silicon carbide junction field effect transistors

  1. Hinojosa, M.
  2. Bayne, S.
  3. Veliadis, V.
  4. Urciuoli, D.
Col·lecció de llibres:
Materials Science Forum

ISSN: 0255-5476

ISBN: 9783037854198

Any de publicació: 2012

Volum: 717-720

Pàgines: 1025-1028

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.4028/WWW.SCIENTIFIC.NET/MSF.717-720.1025 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus