Avalanche breakdown energy in silicon carbide junction field effect transistors

  1. Hinojosa, M.
  2. Bayne, S.
  3. Veliadis, V.
  4. Urciuoli, D.
Collection de livres:
Materials Science Forum

ISSN: 0255-5476

ISBN: 9783037854198

Année de publication: 2012

Volumen: 717-720

Pages: 1025-1028

Type: Communication dans un congrès

DOI: 10.4028/WWW.SCIENTIFIC.NET/MSF.717-720.1025 GOOGLE SCHOLAR
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